Assalamualaikum saya MOHAMMAD SHAHMIE BIN ROSDHI,16DEM14F1019 dan kawan saya MUHAMMAD HARITH BIN YAHYA,16DEM14F1031 dari kelas DEM 2A.Kami akan menghuraikan tentang peranti-peranti separuh pengalir.Ini adalah senarai komponen dalam electronic system iaitu diode,zener diode,led,transistor,scr,diac,triac,mosfet,ujt.Setelah kami mencari bahan dan huraian komponen tersebut kami telah memahami ciri-ciri bahan tersebut.Huraian komponen ini ada  di bawah.
 

DIOD
simbol diod

gambar diod

litar

ciri-ciri dan keistimewa

Diod ialah  komponen separuh pengalir yang membenarkan arus mengalir satu hala sahaja.Gambar di atas menunjukkan contoh bentuk fizikal diod.diod simpang PN terbentuk hasil daripada percamtuman bahan N dan P.Semasa proses pembentukkan diod ,terdapat  sejumlah kecil elektron daripada bahan N akan merentasi simpang dan mengisi lubang yang terdapat pada bahan P.Akibatnya terbentuklah lapisan penebat yang dinamai lapisan susutan pada simpang tersebut.Diod berkeadaan pincang ke depan apabila adanya di sambung ke punca positif bekalan dan katod disambungkan ke punca negatif.Voltan pincang ke depan yang diperlukan ialah voltan sawar yang bernilai 0.07 V untuk diod jenis silikon dan 0.3 V untuk diod jenis germanium.Dalam keadaan ini lapisan susutan hilang ciri penebatan membolehkan arus mengalir melaluinya.

·         Apabila anod diod di sambung ke punca negatif  dan katod disambung ke punca positif ,ia dipincang songsang.

·         Dalam keadaan ini rintangan lapisan susutan meningkat dan menyebabkan arus tidak boleh mengalir melaluinya.

·         Jika nilai voltan pincang songsang yang dibekalkan sangat tinggi (lazimnya dalam beberapa ratus  volt,tergantung kepada spesifikasi),arus akan mengalir dalam litar tersebut.

·         Nilai voltan yang membolehkan arus mengalir  dalam diod dalam keadaan  pincang songsang dinamai voltan pecah tebat.

     

     

Diod zener

Simbol

Gambar

   

  Litar

  

  

    

   Fungsi


 Pengertian dan Fungsi Dioda – Dioda Zener (Zener Diode) adalah Komponen Elektronika yang terbuat dari Semikonduktor dan merupakan jenis Dioda yang dirancang khusus untuk dapat beroperasi di rangkaian Reverse Bias (Bias Balik). Pada saat dipasangkan pada Rangkaian Forward Bias (Bias Maju), Dioda Zener akan memiliki karakteristik dan fungsi sebagaimana Dioda Normal pada umumnya. Efek Dioda jenis ini ditemukan oleh seorang Fisikawan Amerika yang bernama Clarence Melvin Zener pada tahun 1934 sehingga nama Diodanya juga diambil dari nama penemunya yaitu Dioda Zener.

  Ciri-Ciri

     

 Gambar rajah di atas menunjukkan ciri-ciri VI diod zener. Apabila diod disambungkan dalam berat sebelah hadapan, diod ini bertindak sebagai diod biasa tetapi apabila voltan pincang belakang adalah lebih besar daripada voltan voltan zener pecahan yang telah ditetapkan berlaku. Untuk membuat kerosakan voltan yang tajam dan tepat, dadah yang dikawal dan ketidaksempurnaan permukaan dielakkan. Dalam ciri-ciri di atas VI Vz adalah voltan zener, kita boleh katakan. Ia juga adalah voltan lutut kerana pada ketika ini semasa adalah semasa adalah sangat pesat.

  Keistimewaan

   

 Seperti yang kita telah melalui bahagian pertama artikel ini kita tahu apa yang diod zener dan apakah prinsip asas operasi daripada ia. Sekarang persoalan timbul di mana jenis ini diod digunakan. Aplikasi utama jenis ini diod adalah sebagai pelindung voltan regulator.Over voltan, sebagai rujukan voltan. Kami akan membincangkan apakah permohonan diod zener sebagai pengatur voltan, sekarang kita akan membincangkan dua mata perlindungan briefly.Overvoltage yang lain dilakukan dengan menggunakan diod Zener kerana terdapat arus yang mengalir melalui diod selepas voltan pincang belakang melebihi nilai tertentu. Litar ini menyediakan keselamatan bagi peralatan yang disambung pada terminal. Biasanya semasa tidak boleh melebihi injap biasa tetapi jika kerana apa-apa kesalahan di litar itu melebihi semasa had maksimum yang dibenarkan, peralatan sistem boleh menjadi rosak secara kekal. A SCR digunakan, oleh itu voltan keluaran dengan cepat mengurangkan dan pukulan fius yang memutuskan sambungan kuasa sumber input. Susunan litar ditunjukkan di bawah untuk pemahaman yang lebih baik,

Ciri ciri dan keistimewaan

Diac mempunyai impedansi yang tinggi dalam dua arah,guna mencapai titik konduknya diperlukan tegangan antara 28 sampai 36 volt. Kita perhatikan gambar a diatas, jika tegangan diberikan pada diac menyamai atau melebihi tegangan konduknya, maka salah satu saklar akan menutup, demikian sebaliknya untuk kondisi yang sama salah satu saklarnya juga akan menutup.

2. Identifikasi Diac

Karena homopolar, maka untuk menentukan kaki diac adalah sama saja baik yang kiri maupun yang kanan. Bentuk fisiknya menyerupai dioda rectifier dengan ciri-ciri seperti yang digambarkan ini.

Sistem pengkodeannya tergantung dari pabrik pembuatnya, sebagai contoh Motorola mengeluarkan tipe 1N5758 sampai 1N5761 sedangka PhilipsAustralia mengeluarkan tipe BR100.

3.Penggunaan Diac dalam rangkaian

Piranti Diac banyak digunakan sebagai pemicu rangkaian pengendali daya, misalnya pemicu TRIAC. Gambar dibawah ini memperlihatkan salah satu contoh rangkaian yang melibatkan Diac.

 

Triac

Simbol







Gambar

                                       



Litar




Fungsi

TRIAC, atau Triode for Alternating Current (Trioda untuk arus bolak-balik) adalah sebuah komponen elektronik yang kira-kira ekivalen dengan dua SCR yang disambungkan antiparalel dan kaki gerbangnya disambungkan bersama. Nama resmi untuk TRIAC adalah Bidirectional Triode Thyristor. Ini menunjukkan sakelar dwiarah yang dapat mengalirkan arus listrik ke kedua arah ketika dipicu (dihidupkan). Ini dapat disulut baik dengan tegangan positif ataupun negatif pada elektrode gerbang. Sekali disulut, komponen ini akan terus menghantar hingga arus yang mengalir lebih rendah dari arus genggamnya, misal pada akhir paruh siklus dari arus bolak-balik. Hal tersebut membuat TRIAC sangat cocok untuk mengendalikan kalang AC, memungkinkan pengendalian arus yang sangat tinggi dengan arus kendali yang sangat rendah. Sebagai tambahan, memberikan pulsa sulut pada titik tertentu dalam siklus AC memungkinkan pengendalian persentase arus yang mengalir melalui TRIAC (pengendalian fase).

Konstuksi Simbol TRIAC

Low-Current TRIAC dapat mengontak hingga kuat arus 1 ampere dan mempunyai maksimal tegangan sampai beberapa ratus volt. Medium-Current TRIACS dapat mengontak sampai kuat arus 40 ampere dan mempunyai maksimal tegangan hingga 1.000 volt.

Ciri ciri dan keistimewaan

Ciri-ciri VI tipikal triak yang ditunjukkan dalam rajah. Triak mempunyai dalam dan di luar negeri ciri-ciri yang serupa dengan SCR tetapi kini acteristic char yang terpakai kepada kedua-dua voltan positif dan negatif. Ini dijangka kerana triak mengandungi dua SCR disambungkan secara selari tetapi bertentangan dalam tions direc.

MT2 adalah positif berkenaan dengan MTX dalam sukuan pertama dan ia adalah negatif dalam quad kata-kata kasar ketiga. Seperti yang telah berkata dalam catatan blog sebelum ini, pintu gerbang mencetuskan mungkin berlaku dalam mana-mana empat mod berikut.

Operasi saya Quadrant: VMT2, positif; VG1 positif

Quadrant II operasi: VMT21 positif; vgl negatif

Quadrant III operasi: VMT21 negatif; vgl negatif

IV operasi Quadrant: VMT21 negatif; VG1 positif

mana VMT21 dan vgl adalah voltan daripada MT2 terminal dan pintu berkenaan dengan MT1 terminal.

Peranti, apabila mula pengaliran membenarkan jumlah yang sangat berat arus mengalir melaluinya. Ini rempuh masuk besar semasa mesti dihadkan dengan menggunakan luar menahan Kepatuhan, jika tidak, peranti mungkin rosak.

Pintu gerbang adalah terminal kawalan peranti. Dengan menggunakan isyarat yang betul untuk pintu gerbang, sudut tembakan alat tersebut boleh dikawal. Litar digunakan di pintu gerbang untuk mencetuskan peranti dipanggil litar get-mencetuskan. Pintu-mencetuskan litar untuk triak adalah hampir sama seperti yang digunakan untuk SCR. Litar mencetuskan biasanya menjana pencetus denyutan untuk menembak peranti. Pencetus nadi harus magnitud dan tempoh yang mencukupi supaya tembakan peranti adalah terjamin. Biasanya, tempoh 35 kami adalah mencukupi untuk mengekalkan tembakan peranti.

A triak tipikal mempunyai voltan berikut / nilai semasa:

Ketika dalam keadaan voltan - 1.5 Volt

Dalam keadaan semasa - 25 Amperes

Memegang semasa, IH - 75 Milli Amperes

Purata semasa mencetuskan, IG - 5 Milli Amperes

MOsfet

Symbol

Gambar

Litar




Fungsi


MOSFET (logam-oksida semikonduktor bidang-kesan transistor, disebut Maws-feht) adalah jenis khas bidang-kesan transistor (FET) yang bekerja dengan elektronik yang berbeza-beza lebar saluran sepanjang yang pembawa cas (elektron s atau lubang s) Aliran . Yang lebih luas saluran, lebih baik peranti yang dijalankan olehnya. Pembawa cas memasuki channel itu di peringkat sumber, dan keluar melalui longkang. Lebar saluran yang dikawal oleh voltan pada elektrod dikenali sebagai pintu gerbang, yang terletak secara fizikal di antara sumber dan salir dan terlindung daripada saluran itu dengan lapisan yang sangat nipis oksida logam.

Terdapat dua cara di mana MOSFET yang boleh berfungsi. Yang pertama dikenali sebagai ragam susutan. Apabila tidak ada voltan pada pintu gerbang, saluran mempamerkan kealiran maksimum. Apabila voltan pada kenaikan pintu (sama ada secara positif atau negatif, bergantung kepada sama ada saluran yang diperbuat daripada jenis-P atau bahan semikonduktor jenis-N), kekonduksian saluran berkurangan. Cara kedua di mana MOSFET yang boleh beroperasi dipanggil mod peningkatan. Apabila tidak ada voltan pada pintu gerbang, terdapat di kesan tiada saluran, dan peranti tidak menjalankan. Saluran dihasilkan dengan menggunakan voltan ke pintu gerbang. Semakin besar voltan get, lebih baik peranti yang dijalankan olehnya.

MOSFET ini mempunyai kelebihan tertentu lebih FET persimpangan konvensional, atau JFET. Kerana pintu terlindung elektrik dari saluran, tiada arus mengalir di antara get dan saluran, tidak kira apa voltan get (selagi ia tidak menjadi begitu besar bahawa ia menyebabkan kerosakan fizikal lapisan oksida logam). Oleh itu, MOSFET mempunyai impedans praktikal tak terhingga. Ini menjadikan MOSFET berguna untuk penguat kuasa. Peranti juga amat sesuai untuk aplikasi pensuisan kelajuan tinggi. Beberapa litar bersepadu (IC s) mengandungi MOSFET kecil dan digunakan dalam komputer.

Oleh kerana lapisan oksida yang begitu nipis, MOSFET adalah mudah terdedah kepada kerosakan kekal oleh caj elektrostatik. Malah penumpukan elektrostatik kecil boleh memusnahkan MOSFET yang kekal. Dalam lemah-isyarat frekuensi radio (RF) kerja, peranti MOSFET biasanya tidak melaksanakan serta lain-lain jenis FET.

Ciri Ciri


Ciri-ciri output

  Ciri-ciri output MOSFET merancang ID berbanding VDS untuk beberapa nilai-nilai VGS.

Rajah. (3a): Ciri-ciri Pengeluaran nMOS transistor Rajah. (3b): Ciri-ciri Pengeluaran pMOS transistor

Ciri-ciri sebuah transistor nMOS dapat dijelaskan seperti berikut. Apabila voltan pada elektrod atas bertambah lagi dan elektron tertarik ke permukaan. Di peringkat voltan tertentu, yang kita tidak lama akan menentukan sebagai voltan ambang, ketumpatan elektron pada permukaan melebihi kepadatan lubang. Pada voltan ini, permukaan telah terbalik dari kutub p-jenis substrat asal untuk lapisan penyongsangan n-jenis, atau rantau penyongsangan, secara langsung di bawah plat di atas seperti yang ditunjukkan dalam Rajah. 1 (b). Ini rantau penyongsangan merupakan lapisan yang amat cetek, yang sedia ada sebagai kertas pertuduhan secara langsung di bawah pintu gerbang. Dalam kapasitor MOS itu, ketumpatan yang tinggi elektron dalam lapisan penyongsangan dibekalkan oleh proses penjanaan elektron-lubang dalam lapisan susutan. Caj positif pada pintu gerbang itu seimbang dengan gabungan cas negatif dalam lapisan penyongsangan ditambah negatif caj penerima ionik dalam lapisan susutan. Voltan di mana lapisan penyongsangan permukaan membentuk hanya memainkan peranan yang amat penting dalam transistor bidang-kesan dan dipanggil voltan ambang Vtn. Rantau ciri-ciri output mana VGStn dan tiada arus mengalir dipanggil rantau cutt-mati. Apabila bentuk saluran dalam nMOS (pMOS) transistor, yang positif (negatif) mengalirkan voltan berkenaan dengan sumber yang mencipta medan elektrik mendatar elektron bergerak (lubang) ke arah longkang membentuk positif (negatif) mengalirkan arus mula transistor . Konvensyen semasa positif digunakan untuk elektron dan lubang semasa, tetapi dalam kedua-dua kes elektron adalah pembawa cas sebenar. Jika medan elektrik mendatar saluran adalah perintah yang sama atau lebih kecil daripada medan oksida nipis menegak, kemudian saluran penyongsangan kekal hampir seragam di sepanjang peranti. Profil pembawa berterusan dari longkang untuk sumber meletakkan transistor dalam keadaan berat sebelah yang setara dipanggil sama ada, linear tak jenuh, atau keadaan berat sebelah ohm. Parit dan sumber adalah berkesan pendek litar pintaskan. Ini berlaku apabila VGS> VDS + Vtn untuk nMOS transistor dan VGS <VDS + VTP untuk pMOS transistor. Toskan semasa linear yang berkaitan dengan parit-sumber voltan lebih selang kecil di negeri berat sebelah linear.

Tetapi jika nMOS mengalirkan kenaikan voltan yang melebihi had, supaya VGS <VDS + Vtn, maka medan elektrik mendatar menjadi lebih kuat daripada medan menegak pada akhir longkang, mewujudkan ketidakseimbangan pengagihan penyongsangan pembawa saluran yang ditunjukkan dalam Rajah 4.

Rajah. 4: Channel pinchoff untuk (a) nMOS dan (b) peranti pMOS transistor.

Jika voltan longkang riseswhile voltan get tetap sama, maka VGD boleh pergi di bawah voltan ambang di rantau longkang. Tidak ada penyongsangan penerbangan di rantau oksida longkang-pintu gerbang, supaya bahagian terbalik saluran menarik balik dari longkang, dan tidak lagi "menyentuh" terminal ini. Bahagian mencubit-off saluran membentuk kawasan susut dengan medan elektrik yang tinggi. N-longkang dan p pukal membentuk simpang pn. Apabila ini berlaku saluran penyongsangan dikatakan "mencubit-off" dan peranti ini berada dalam kawasan tepu. Ciri-ciri boleh longgar dimodelkan dengan persamaan berikut.



Ciri-ciri pemindahan

Ciri pemindahan berkaitan longkang semasa (ID) tindak balas kepada voltan input memandu get-sumber (VGS). Sejak terminal get elektrik diasingkan daripada terminal baki (longkang, sumber, dan pukal), arus get dasarnya sifar, supaya arus get bukan sebahagian daripada ciri-ciri peranti. Pemindahan lengkung ciri boleh mengesan voltan get di mana transistor pas semasa dan daun-negeri OFF. Ini adalah voltan ambang peranti (Vtn). Rajah 5 menunjukkan diukur ciri-ciri input bagi nMOS dan pMOS transistor dengan potensi 0.1V kecil di longkang mereka ke terminal sumber.

Rajah. (5a): ciri-ciri Pemindahan nMOS transistor Rajah.

Rajah(5b): Pemindahan ciri-ciri pMOS transistor

Transistor adalah di negeri-negeri berat sebelah tak jenuh mereka. Sebagai VGS kenaikan bagi transistor nMOS dalam Rajah 5a, voltan ambang dicapai di mana parit menaikkan semasa. Untuk VGS antara 0V dan 0.7V, ID adalah hampir sifar menunjukkan bahawa rintangan setara di antara longkang dan sumber terminal adalah sangat tinggi. Setelah VGS mencapai 0.7V, kenaikan semasa dengan pantas dengan VGS menunjukkan bahawa rintangan setara di dalam longkang berkurangan dengan peningkatan voltan get-sumber. Oleh itu, voltan ambang daripada transistor nMOS diberikan adalah tentang Vtn ≈ 0.7V. The pMOS ciri input transistor dalam Rajah 5b adalah mirip kepada transistor nMOS kecuali ID dan polariti VGS diterbalikkan.

UJT

Simbol

Gambar




Aplikasi Litar




Fungsi

Transistor sesimpang (disingkatkan sebagai UJT), juga dikenali sebagai diod dua asas adalah 2-lapisan, keadaan pepejal 3-terminal (silikon) peranti pensuisan. Peranti mempunyai-ciri unik yang apabila ia dicetuskan, kenaikan pemancar semasanya semula generatively (disebabkan ciri rintangan negatif) sehingga ia dihadkan oleh bekalan kuasa pemancar. Kos rendah bagi setiap unit, digabungkan dengan ciri-ciri yang unik, telah dijamin penggunaannya dalam pelbagai aplikasi. Beberapa termasuk pengayun, penjana nadi, penjana saw-gigi, mencetuskan litar, kawalan fasa, litar masa, dan voltan bekalan atau semasa dikawal selia. Peranti ini pada umumnya, berkuasa rendah penyerap peranti di bawah keadaan operasi normal dan memberikan bantuan yang besar dalam usaha berterusan untuk mereka bentuk sistem yang agak berkesan!

Ciri Ciri

Peranti ini mempunyai hanya satu simpang, jadi ia dipanggil peranti unijunction itu.
Peranti, kerana satu simpang PN, adalah agak sama dengan diod tetapi ia tidak sama dengan satu diod biasa kerana ia mempunyai tiga terminal.
Struktur UJT yang agak sama dengan satu JFET N-saluran. Perbezaan utama adalah bahawa jenis-P (pintu gerbang) bahan mengelilingi N-jenis (saluran) bahan dalam kes JFET dan permukaan pintu JFET adalah jauh lebih besar daripada pemancar persimpangan UJT.
Dalam satu transistor unijunction pemancar adalah amat didopkan manakala N-rantau yang ringan terdop, jadi rintangan antara terminal asas adalah agak tinggi, biasanya 4-10 kilo Ohm apabila pemancar dibuka.
Bar silikon N-jenis mempunyai rintangan yang tinggi dan rintangan antara pemancar dan asas-1 adalah lebih besar daripada itu antara pemancar dan asas-2. Ia adalah kerana pemancar adalah lebih dekat kepada asas-2 daripada asas-1.
UJT dikendalikan dengan pemancar simpang ke hadapan manakala berat sebelah JFET itu beroperasi dengan pintu gerbang persimpangan Berbalik berat sebelah.
UJT tidak mempunyai keupayaan untuk menguatkan tetapi ia mempunyai keupayaan untuk mengawal ac besar kuasa dengan isyarat kecil. Ia mempamerkan ciri-ciri rintangan negatif dan oleh itu ia boleh digunakan sebagai pengayun.